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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第321页 > CY62167EV18
CY62167EV18的MoBL
?
16兆位( 1M ×16 )静态RAM
特点
超高速: 55纳秒
宽电压范围: 1.65V - 2.25V
超低待机功耗
?
典型待机电流: 1.5
μA
?
最大待机电流: 12
μA
超低有功功率
?
典型工作电流2.2毫安, F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
,CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供无铅48球VFBGA封装
由99%时,地址不切换。将设备插入
当取消待机模式( CE
1
高或CE
2
LOW或两者
BHE和BLE的高) 。的输入和输出引脚(IO
0
通过
IO
15
)被置于高阻抗状态时:所述设备是
取消选择( CE
1
高或CE
2
LOW ) ;输出被禁止( OE
HIGH) ;这两个高字节使能和低字节使能禁用
( BHE , BLE HIGH) ;和一个写操作正在进行(CE
1
低,CE
2
HIGH和LOW WE ) 。
写入装置,以芯片启用( CE
1
LOW和CE
2
HIGH )和写使能( WE)输入低电平。如果低字节使能
( BLE )为低电平,然后从IO引脚上的数据( IO
0
通过IO
7
)被写入
插入地址引脚指定的位置(A
0
至A
19
).
如果高字节使能( BHE )为低电平,然后从IO引脚上的数据( IO
8
通过IO
15
)写入到该地址中指定的位置
销(A
0
至A
19
).
从设备读取,以芯片启用( CE
1
LOW和CE
2
HIGH )和输出使能( OE )低,而强迫写
使能(WE )高。如果低字节使能( BLE )为低电平,则数据
从由地址引脚指定的存储单元出现
在IO
0
到IO
7
。如果高字节使能( BHE )为低电平,然后从数据
内存出现在IO
8
到IO
15
。见
第9页上的真值表
用于读取和写入模式的完整描述。
为了获得最佳的实践建议,请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 , SRAM系统的指导。
功能说明
该CY62167EV18是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为100万字。该设备的特点
先进的电路设计,提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life? (的MoBL
?
)便携式
应用,如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能,可降低功耗
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
1M × 16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
CE
2
BHE
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
CE
1
BHE
BLE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05447牧师* E
?
198冠军苑
?
圣荷西
,
CA 95134-1709
?
408-943-2600
修订后的2007年8月16日
CY62167EV18的MoBL
?
引脚配置
图1. 48球VFBGA ( 6 ×7×仅1mm) / ( 6 ×8×仅1mm)顶视图
[1, 2, 3]
1
BLE
IO
8
IO
9
V
SS
V
CC
IO
14
IO
15
A
18
2
OE
BHE
IO
10
IO
11
IO
12
IO
13
A
19
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
IO
1
IO
3
IO
4
IO
5
WE
A
11
6
CE
2
IO
0
IO
2
V
cc
VSS
IO
6
IO
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
产品组合
功耗
产品
V
CC
范围(V )
CY62167EV18LL
1.65
典型值
[4]
1.8
最大
2.25
55
速度
(纳秒)
典型值
[4]
2.2
我的操作
CC
(MA )
F = 1 MHz的
最大
4.0
f = f
最大
典型值
[4]
25
最大
30
待我
SB2
(μA)
典型值
[4]
1.5
最大
12
笔记
1.与6× 7 ×1毫米VFBGA封装的信息是初步。
2. NC引脚未连接的芯片。
3.球H6为VFBGA封装可用于升级到32M密度。
4.典型值包括仅供参考,不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC (典型值)
, T
A
= 25°C.
文件编号: 38-05447牧师* E
第12页2
CY62167EV18的MoBL
?
最大额定值
超出最大额定值,可能会损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用........................................... -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在.......................... -0.2V至2.45V (V
CC
(最大) + 0.2V )
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[5, 6]
........... -0.2V至2.45V (V
CC
(最大) + 0.2V )
直流输入电压
[5, 6]
....... -0.2V至2.45V (V
CC
(最大) + 0.2V )
输出电流为输出( LOW ) ............................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
( MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流............................................... ....... >200毫安
工作范围
设备
CY62167EV18LL
范围
环境
温度
V
CC
[7]
工业-40 ° C至+ 85°C 1.65V到2.25V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
CE自动断电
电流 - CMOS输入
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65V到2.25V
V
CC
= 1.65V到2.25V
GND < V
I
& LT ; V
CC
GND < V
O
& LT ; V
CC
,输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC
(最大)
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
1.4
–0.2
–1
–1
25
2.2
1.5
55纳秒
1.4
0.2
V
CC
+ 0.2V
0.4
+1
+1
30
4.0
12
典型值
[4]
最大
单位
V
V
V
V
μA
μA
mA
mA
μA
I
SB1
CE
1
& GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
& LT ; 0.2V
V
IN
& GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
& LT ; 0.2V )
f = f
最大
(地址和数据只) ,
F = 0 ( OE , WE , BHE和BLE )
V
CC
= V
CC
(最大)
CE
1
& GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
& LT ; 0.2V ,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
& LT ; 0.2V ,
F = 0,V
CC
= V
CC
(最大)
I
SB2[8]
CE自动断电
电流 - CMOS输入
1.5
12
μA
电容
最初和之后的任何设计或工艺变化,可能影响这些参数进行测试。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= V
CC (典型值)
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
5. V
IL
(分钟) = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH
(MAX) = V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.完全设备AC操作是基于一个100
μs
从0减速时间到V
CC
(分钟)和200
μs
等待时间V后
CC
稳定。
8.只有芯片使能( CE
1
和CE
2
)和字节使能( BHE和BLE)必须与CMOS电平,以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号: 38-05447牧师* E
第12页3
CY62167EV18的MoBL
?
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化,可能影响这些参数进行测试。
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
(结到环境)
热阻
(结点到外壳)
测试条件
静止的空气中,焊接在一个3 × 4.5英寸,
2层印刷电路板
VFBGA
VFBGA
( 6 ×7×仅1mm) ( 6 ×8×仅1mm)
27.74
9.84
55
16
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
上升时间= 1 V / ns的
相当于:戴维南等效
R
TH
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
1.8V
13500
10800
6000
0.80
单位
?
?
?
V
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR[8]
t
CDR[9]
t
R[10]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.0V ,CE
1
& GT ; V
CC
- 0.2V ,CE
2
& LT ; 0.2V ,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
& LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
1.0
10
典型值
[4]
最大
单位
V
μA
ns
ns
数据保存波形
V
CC
CE
1
or
BHE
.
BLE
[11]
V
CC
(分钟)
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.0 V
V
CC
(分钟)
t
R
or
CE
2
笔记
9.初步测试后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
10.完整的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC
(分钟) > 100
μs
或稳定在V
CC
(分钟) > 100
μs.
11. BHE.BLE是既BHE和BLE和。无论是通过禁用芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE取消的芯片。
文件编号: 38-05447牧师* E
第12页4
CY62167EV18的MoBL
?
开关特性
在整个工作范围
[12, 13]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[16]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[14, 15]
我们前高后低-Z
[14]
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[14]
OE高来高-Z
[14, 15]
CE
1
LOW和CE
2
前高后低-Z
[14]
CE
1
高和CE
2
从低到高-Z
[14, 15]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高和CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[14]
BLE / BHE高来高-Z
[14, 15]
10
18
0
55
55
10
18
5
18
10
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
55纳秒
最大
单位
笔记
12.测试条件比三态参数以外的所有参数都是基于1V / ns的信号的过渡时间,定时Ⅴ的参考电平
CC (典型值)
/ 2,输入脉冲电平
0至V
CC (典型值)
指定I ,并输出负载
OL
/I
OH
如图
交流测试负载和波形第4页。
13. AC时序参数如有字节使能信号( BHE和BLE )时,芯片被禁止不是交换。看
应用笔记AN13842
为进一步澄清。
14.在任何给定的温度和电压条件下,叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定
装置。
15. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
16.内部存储器写入时间由WE的重叠限定,CE
1
= V
IL
, BHE和/或BLE = V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动的发起和写入
所有这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的边缘。
文件编号: 38-05447牧师* E
第12页5
CY62167EV18的MoBL
?
16百万位元( 1M ×16 )静态RAM
特点
超高速: 55纳秒
宽电压范围: 1.65V到2.25V
超低待机功耗
?
典型待机电流: 1.5
μA
?
最大待机电流: 12
μA
超低有功功率
?
典型工作电流:在f = 1 MHz的2.2毫安
易内存扩展与CE
1
,CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供无铅48球VFBGA封装
由99%时地址不切换。将设备
取消当进入待机模式( CE
1
高或CE
2
或低
无论BHE和BLE的高) 。的输入和输出管脚( I / O的
0
通过I / O
15
)被置于高阻抗状态时:所述
取消选择器件( CE
1
高或CE
2
LOW ) ;输出
禁用( OE高) ;这两个高字节使能和低字节
启用已禁用( BHE , BLE HIGH) ;和写操作是
正在进行中( CE
1
低,CE
2
HIGH和LOW WE ) 。
写入装置,以芯片启用( CE
1
LOW和CE
2
HIGH )和写使能( WE)输入低电平。如果低字节使能
( BLE )为低电平,然后从I / O引脚(数据I / O
0
通过I / O
7
)是
写入的地址引脚指定的位置(A
0
通过
A
19
) 。如果高字节使能( BHE )为低电平,然后从I / O引脚上的数据
( I / O
8
通过I / O
15
)被写入到所指定的位置的
地址引脚(A
0
至A
19
).
从设备读取,以芯片启用( CE
1
LOW和CE
2
HIGH )和输出使能( OE )低,而强迫写
使能(WE )高。如果低字节使能( BLE )为低电平,则数据
从由地址引脚指定的存储单元出现
在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能( BHE )为低电平,然后从数据
内存出现在I / O
8
到I / O
15
。见
页真值表
9
用于读取和写入模式的完整描述。
为了获得最佳的实践建议,请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 , SRAM系统的指导。
功能说明
该CY62167EV18是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为100万字。该设备的特点
先进的电路设计,提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life? (的MoBL
?
)便携式
应用,如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能,可降低功耗
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
1M × 16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
CE
2
BHE
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
CE
1
BHE
BLE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05447牧师* G
?
198冠军苑
?
圣荷西
,
CA 95134-1709
?
408-943-2600
修订后的2009年3月13日
[+ ]反馈
CY62167EV18的MoBL
?
引脚配置
图1. 48球VFBGA ( 6 ×7×仅1mm) / ( 6 ×8×仅1mm)顶视图
[1, 2, 3]
1
BLE
IO
8
IO
9
V
SS
V
CC
IO
14
IO
15
A
18
2
OE
BHE
IO
10
IO
11
IO
12
IO
13
A
19
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
IO
1
IO
3
IO
4
IO
5
WE
A
11
6
CE
2
IO
0
IO
2
V
cc
VSS
IO
6
IO
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
产品组合
功耗
产品
V
CC
范围(V )
CY62167EV18LL
CY62167EV30LL
[5]
1.65
典型值
[4]
1.8
最大
2.25
55
速度
(纳秒)
典型值
[4]
2.2
我的操作
CC
(MA )
F = 1 MHz的
最大
4.0
f = f
最大
典型值
[4]
25
最大
30
待我
SB2
(μA)
典型值
[4]
1.5
最大
12
笔记
1.与6× 7 ×1毫米VFBGA封装的信息是初步。
2. NC引脚未连接的芯片。
3.球H6为VFBGA封装可用于升级到32M密度。
4.典型值包括仅供参考,不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC (典型值)
, T
A
= 25°C.
5.该部分可以在V来操作
CC
范围1.65V - 2.25V以55ns的速度。它也可以在V操作
CC
范围2.2V - 3.6V时为45nS速度。
文件编号: 38-05447牧师* G
分页: 13 2
[+ ]反馈
CY62167EV18的MoBL
?
最大额定值
超出最大额定值,可能会损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用........................................... -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在.......................... -0.2V至2.45V (V
CC
(最大) + 0.2V )
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[6, 7]
........... -0.2V至2.45V (V
CC
(最大) + 0.2V )
直流输入电压
[6, 7]
....... -0.2V至2.45V (V
CC
(最大) + 0.2V )
输出电流为输出( LOW ) ............................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
( MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流............................................... ....... >200毫安
工作范围
设备
CY62167EV18LL
范围
环境
温度
V
CC
[8]
工业-40 ° C至+ 85°C 1.65V到2.25V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
CE自动断电
电流 - CMOS输入
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65V到2.25V
V
CC
= 1.65V到2.25V
GND < V
I
& LT ; V
CC
GND < V
O
& LT ; V
CC
,输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC
(最大)
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
1.4
–0.2
–1
–1
25
2.2
1.5
55纳秒
1.4
0.2
V
CC
+ 0.2V
0.4
+1
+1
30
4.0
12
典型值
[4]
最大
单位
V
V
V
V
μA
μA
mA
mA
μA
I
SB1
CE
1
& GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
& LT ; 0.2V
V
IN
& GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
& LT ; 0.2V )
f = f
最大
(地址和数据只) ,
F = 0 ( OE , WE , BHE和BLE )
V
CC
= V
CC
(最大)
CE
1
& GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
& LT ; 0.2V ,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
& LT ; 0.2V ,
F = 0,V
CC
= V
CC( MAX)的
I
SB2[9]
CE自动断电
电流 - CMOS输入
1.5
12
μA
电容
最初和之后的任何设计或工艺变化,可能影响这些参数进行测试。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= V
CC (典型值)
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
6. V
IL
(分钟) = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7. V
IH
(MAX) = V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
8.完全设备AC操作是基于一个100
μs
从0减速时间到V
CC
(分钟)和200
μs
等待时间V后
CC
稳定。
9.只有芯片使能( CE
1
和CE
2
)和字节使能( BHE和BLE)必须与CMOS电平,以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号: 38-05447牧师* G
第13 3
[+ ]反馈
CY62167EV18的MoBL
?
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化,可能影响这些参数进行测试。
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
(结到环境)
热阻
(结点到外壳)
图2.交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
测试条件
静止的空气中,焊接在一个3 × 4.5英寸,
2层印刷电路板
VFBGA
VFBGA
( 6 ×7×仅1mm) ( 6 ×8×仅1mm)
27.74
9.84
55
16
单位
° C / W
° C / W
上升时间= 1 V / ns的
相当于:戴维南等效
R
TH
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
1.8V
13500
10800
6000
0.80
单位
Ω
Ω
Ω
V
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR[9]
t
CDR[10]
t
R[11]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
图3.数据保存波形
V
CC
(分钟)
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.0 V
V
CC
(分钟)
t
R
V
CC
= 1.0V ,CE
1
& GT ; V
CC
- 0.2V ,CE
2
& LT ; 0.2V ,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
& LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
1.0
10
典型值
[4]
最大
单位
V
μA
ns
ns
V
CC
CE
1
or
BHE
.
BLE
[12]
or
CE
2
笔记
10.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
11.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC
(分钟) > 100
μs
或稳定在V
CC
(分钟) > 100
μs.
12. BHE.BLE是既BHE和BLE和。无论是通过禁用芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE取消的芯片。
文件编号: 38-05447牧师* G
第13 4
[+ ]反馈
CY62167EV18的MoBL
?
开关特性
在整个工作范围
[13, 14]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[17]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[15, 16]
我们前高后低-Z
[15]
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[15]
OE高来高-Z
[15, 16]
CE
1
LOW和CE
2
前高后低-Z
[15]
CE
1
高和CE
2
从低到高-Z
[15, 16]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高和CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[15]
BLE / BHE高来高-Z
[15, 16]
10
18
0
55
55
10
18
5
18
10
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
55纳秒
最大
单位
笔记
13.测试条件比三态参数以外的所有参数都是基于1V / ns的信号的过渡时间,定时Ⅴ的参考电平
CC (典型值)
/ 2,输入脉冲电平
0至V
CC (典型值)
指定I ,并输出负载
OL
/I
OH
如图
交流测试负载和波形第4页。
14. AC时序参数如有字节使能信号( BHE和BLE )时,芯片被禁止不是交换。看
应用笔记AN13842
为进一步澄清。
15.在任何给定的温度和电压条件下,叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定
装置。
16. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
17.内部存储器写入时间由WE的重叠限定,CE
1
= V
IL
, BHE和/或BLE = V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动的发起和写入
所有这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的边缘。
文件编号: 38-05447牧师* G
第13个5
[+ ]反馈
CY62167EV18的MoBL
?
16百万位元( 1M ×16 )静态RAM
16百万位元( 1M ×16 )静态RAM
特点
超高速: 55纳秒
宽电压范围: 1.65 V至2.25 V
超低待机功耗
?
典型待机电流: 1.5
?A
?
最大待机电流: 12
?A
超低有功功率
?
典型工作电流:在f = 1 MHz的2.2毫安
易内存扩展与CE
1
,CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供无铅48球非常精细球栅阵列( VFBGA )
套餐
自动断电功能,可降低功耗
由99%时地址不切换。将设备
取消当进入待机模式( CE
1
高或CE
2
或低
无论BHE和BLE的高) 。的输入和输出管脚( I / O的
0
通过I / O
15
)被置于高阻抗状态时:所述
取消选择器件( CE
1
高或CE
2
LOW ) ;输出
禁用( OE高) ;这两个高字节使能和低字节
启用已禁用( BHE , BLE HIGH) ;和写操作是
正在进行中( CE
1
低,CE
2
HIGH和LOW WE ) 。
写入装置,以芯片启用( CE
1
LOW和CE
2
HIGH )和写使能( WE)输入低电平。如果低字节使能
( BLE )为低电平,然后从I / O引脚(数据I / O
0
通过I / O
7
)是
写入的地址引脚指定的位置(A
0
通过
A
19
) 。如果高字节使能( BHE )为低电平,然后从I / O引脚上的数据
( I / O
8
通过I / O
15
)被写入到所指定的位置的
地址引脚(A
0
至A
19
).
从设备读取,以芯片启用( CE
1
LOW和CE
2
HIGH )和输出使能( OE )低,而强迫写
使能(WE )高。如果低字节使能( BLE )为低电平,则数据
从由地址引脚指定的存储单元出现
在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能( BHE )为低电平,然后从数据
内存出现在I / O
8
到I / O
15
。见
页真值表
10
用于读取和写入模式的完整描述。
功能说明
该CY62167EV18是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为100万字。该设备的特点
先进的电路设计,提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life? (的MoBL
?
)便携式
应用,如蜂窝电话。该器件还具有一个
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
1M × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
CE
2
掉电
电路
CE
1
BHE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05447牧师* L
?
198冠军苑
?
圣荷西
,
CA 95134-1709
?
408-943-2600
修订后的2011年6月29日
CY62167EV18的MoBL
?
目录
引脚配置................................................ ............. 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 4
热阻................................................ .......... 5
数据保持特性....................................... 5
开关特性................................................ 6
开关波形................................................ ...... 7
真值表................................................ ...................... 10
订购信息................................................ ...... 11
订购代码定义........................................... 11
包图................................................ .......... 12
与缩略语................................................. ....................... 14
文档约定................................................ 14
计量单位............................................... ........ 14
文档历史记录页............................................... 15 ..
销售,解决方案和法律信息...................... 16
全球销售和设计支持....................... 16
产品................................................. ................... 16
的PSoC解决方案................................................ ......... 16
文件编号: 38-05447牧师* L
第16页2
CY62167EV18的MoBL
?
引脚配置
图1. 48球VFBGA ( 6 × 8 × 1毫米)顶视图
[ 1, 2]
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
A
18
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
A
19
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
V
cc
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
产品组合
功耗
产品
V
CC
范围(V )
典型值
[3]
1.8
速度
(纳秒)
最大
2.25
55
典型值
[3]
2.2
我的操作
CC
(MA )
F = 1 MHz的
CY62167EV18LL
CY62167EV30LL
[4]
1.65
最大
4.0
f = f
最大
典型值
[3]
25
最大
30
待我
SB2
(?A)
典型值
[3]
1.5
最大
12
笔记
1. NC引脚没有连接上模具。
2.球H6的VFBGA封装,可用于升级到32的密度。
3.典型值包括仅供参考,不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC (典型值)
, T
A
= 25 °C.
4.该部分可以在V来操作
CC
以55ns的速度范围为1.65 V- 2.25 V 。它也可以在V操作
CC
在为45nS速度范围为2.2 V- 3.6 V 。
文件编号: 38-05447牧师* L
第16页3
CY62167EV18的MoBL
?
直流输入电压
[5, 6]
..... -0.2 V至2.45 V(V
CC
(最大值) + 0.2 V )
输出电流为输出( LOW ) ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001 V
( MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流............................................... ........ >200毫安
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度............................... -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源采用.......................................... -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在....................... -0.2 V至2.45 V(V
CC
(最大值) + 0.2 V )
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[5, 6]
....... -0.2 V至2.45 V(V
CC
(最大值) + 0.2 V )
工作范围
设备
CY62167EV18LL
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至
+85 °C
V
CC
[7]
1.65 V至
2.25 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
自动断电
电流 - CMOS输入
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65 V至2.25 V
V
CC
= 1.65 V至2.25 V
GND < V
I
& LT ; V
CC
GND < V
O
& LT ; V
CC
,输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC
(最大)
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
55纳秒
1.4
1.4
–0.2
–1
–1
典型值
[8]
25
2.2
1.5
最大
0.2
V
CC
+ 0.2 V
0.4
+1
+1
30
4.0
12
单位
V
V
V
V
?A
?A
mA
mA
?A
I
SB1[9]
CE
1
& GT ; V
CC
- 0.2 V或CE
2
< 0.2 V
或( BHE和BLE ) > V
CC
– 0.2 V,
V
IN
& GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
< 0.2 V )
f = f
最大
(地址和数据只) ,
F = 0 ( OE和WE )
V
CC
= V
CC
(最大)
CE
1
& GT ; V
CC
?
0.2 V或CE
2
< 0.2 V ,
V
IN
& GT ; V
CC
?
0.2 V或V
IN
< 0.2 V或(和BHE
BLE ) > V
CC
- 0.2 V , F = 0 ,V
CC
= V
CC
(最大)
I
SB2[9]
自动断电
电流 - CMOS输入
1.5
12
?A
电容
参数
[10]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= V
CC (典型值)
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
5. V
IL
(分钟)= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH
(MAX) = V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
7.完全设备AC操作是基于一个100
?s
从0减速时间到V
CC
(分钟)和200
?s
等待时间V后
CC
稳定。
8.典型值包括仅供参考,不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC (典型值)
, T
A
= 25 °C.
9.芯片使能( CE
1
和CE
2
)和字节使能( BHE和BLE)必须与CMOS电平,以满足我
SB1
/I
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
10.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
文件编号: 38-05447牧师* L
第16页4
CY62167EV18的MoBL
?
热阻
参数
[11]
?
JA
?
JC
描述
热阻
(结到环境)
热阻
(结点到外壳)
图2.交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
测试条件
静止的空气中,焊接在一个3 × 4.5英寸,
2层印刷电路板
VFBGA
(6 × 8 × 1mm)
55
16
单位
° C / W
° C / W
上升时间= 1 V / ns的
相当于:戴维南等效
R
TH
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
1.8 V
13500
10800
6000
0.80
单位
?
?
?
V
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR[13]
t
CDR[11]
t
R[14]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
图3.数据保存波形
数据保持方式
V
DR
> 1.0 V
V
CC
(分钟)
t
R
V
CC
= 1.0 V, CE
1
& GT ; V
CC
- 0.2 V或CE
2
< 0.2 V或( BHE
和BLE ) > V
CC
– 0.2 V, V
IN
& GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V
条件
1.0
0
55
典型值
[12]
最大
10
单位
V
?A
ns
ns
V
CC
CE
1
or
BHE
.
BLE
[15]
V
CC
(分钟)
t
CDR
or
CE
2
笔记
11.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
12.典型值包括仅供参考,不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC (典型值)
, T
A
= 25 °C.
13.芯片使能( CE
1
和CE
2
)和字节使能( BHE和BLE)必须与CMOS电平,以满足我
SB1
/I
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
14.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC
(分钟) > 100
?s
或稳定在V
CC
(分钟) > 100
?s.
15. BHE 。 BLE既BHE和BLE的和。无论是通过禁用芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE取消的芯片。
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第16页5
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