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晶体管STL3NM60NFET-MOSFET

发布时间:2018-10-12 11:07:00 访问次数:75 发布企业:安富利(深圳)商贸有限公司

STL3NM60N介绍:

描述 MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT

制造商标准提前期 42 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 600V 650mA(Ta),2.2A(Tc) 2W(Ta),22W(Tc) PowerFlat™(3.3x3.3)

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 MDmesh™ II

包装 带卷(TR)

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 650mA(Ta),2.2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.8 欧姆 @ 1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.5nC @ 10V

Vgs(最大值) ±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 188pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2W(Ta),22W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PowerFlat™(3.3x3.3)

封装/外壳 8-PowerVDFN

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


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